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采用反应射频磁控溅射法，通过改变混合气体（N2＋Ar）中氮气分压来改变元素的沉积能量和密度，在玻璃基底上制备出了表面光滑、致密的氮化铜（Cu3N）薄膜，研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜的择优生长取向和晶粒尺寸的影响．结果表明：随着氮气分压的增加，Cu3N薄膜由沿（111）晶面择优生长转变为沿（100）晶面择优生长，晶粒尺寸变小，表面均方根粗糙度和光学带隙Eopt增大；薄膜在300℃的条件下会完全分解成铜和氮气；薄膜表面的Cu元素以＋1价形式存在，Cu2p3／2，Cu2p1／2和N1s峰分别位于932．7，