【摘 要】
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采用ICP刻蚀（inductively coupled plasma etching）工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院大学
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划资助973项目（2012CB619200）, 国家自然科学基金（61205105,61376052和61475179）
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采用ICP刻蚀（inductively coupled plasma etching）工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD（inductively coupled plasma chemical vapor deposition）沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件
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