单晶Tm2O3薄膜的制备与F—N隧穿机制

来源 :河北师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：lookingintheeye

【摘要】

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采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si（001）衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品

【作者】

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杨百良杨晓峰刘士彦

【机构】

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绍兴文理学院物理与电子信息系

【出处】

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河北师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2013年2期

【关键词】

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分子束外延单晶Tm2O3 F—N隧穿特性高K栅介质材料 MBE single crystalline Tm2O3 F-N tunneling high-K

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采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si（001）衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的势垒高度分别为2.95,1.8eV.从能带的角度表明Tm2O3是一种高K栅介质候选材料.

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