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今天,硅MOSFET的选择可以分为两个主要部分：平面/沟槽MOSFET和超极结MOSFET。平面MOSFET的有源区域靠近裸片的表面（见图1a）。为了减少RDS（on）,需要额外的管芯面积,并且为了增加MOSFET的电压,必须使管芯更厚。相比之下,超极结MOSFET（见图1b）使用其芯片深度来增加通道面积,这明显降低了其给定裸片面积的RDS（on）。