【摘 要】
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利用电子束蒸发方法在双面抛光的ZnSe基底上镀制单层Ge薄膜.在80 K300 K温度范围内,采用PerkinElmer Frontier傅里叶变换红外光谱仪低温测试系统每20 K测量Ge单层在2-15μm波
【机 构】
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兰州空间技术物理研究所真空技术与物理国防科技重点实验室,无锡泓瑞航天科技有限公司
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利用电子束蒸发方法在双面抛光的ZnSe基底上镀制单层Ge薄膜.在80 K300 K温度范围内,采用PerkinElmer Frontier傅里叶变换红外光谱仪低温测试系统每20 K测量Ge单层在2-15μm波长范围的透射率.采用全光谱反演拟合方法得到Ge单层在不同温度下的折射率.结果显示,Ge单层折射率均随波长增大而减小,且变化趋势基本相同.利用Cauchy色散公式对折射率波长色散关系进行拟合,得到Ge薄膜材料折射率温度/波长色散表达式为：n（λ,T）=3.29669＋0.00015T＋5.96834&#
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