nc-SiC/SiO2镶嵌薄膜材料的制备、结构和发光特性

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:caiyoutian
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采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料.用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.实验结果表明,样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280 nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 n
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