InP基In0.53Ga0．47As光电探测器的量子效率优化

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lewisgw

【摘要】

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建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型．通过引入收集效率函数，模拟计算了探测器量子效率和光响应．采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典

【作者】

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田招兵顾溢张永刚

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院研究生院

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2008年2期

【关键词】

：

短波红外光伏型探测器 INGAAS 量子效率 short-wave-infrared photovoltaic detectors InGaAs qua

【基金项目】

：

Knowledge innovation program of Chinese Academy of Sciences, Shanghai STC Project （06ZR14104） and SIMTEC Project

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建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型．通过引入收集效率函数，模拟计算了探测器量子效率和光响应．采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.47As／InPPIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响,在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs／InP探测器结构，并讨论了其结构参数的优化.

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