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采用蒙特卡罗方法（MC方法），模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布。模拟结果表明：入射能量在10～300keV区间，Kapton／Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领，在80keV出现峰值，可作为地面模拟试验能量选取的参考；质子在Kapton／Al中的射程分布可近似看作高斯分布，质子射程及其偏离随能量增加而增加；位移缺陷和电离作用是两个相对的过程，低能时主要表现为位移缺陷，高能时表现为电离作用。