GaN HEMT器件的电流崩塌效应分析

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gbnew

【摘要】

：

研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象.提出了一种图形化衬底技术来降低器件温度.在缓冲层与衬底界面设置与缓冲层同材料的梯形微阱,在势垒层与钝化层界面设置无掺杂和低Al组分的AlGaN矩形微阱.结果表明,与无微阱结构器件相比,新型有微阱结构器件的温度峰值降低了18.148 K,电流崩塌效应改善比值达20.64％.

【作者】

：

赵宏美冯全源文彦

【机构】

：

西南交通大学微电子研究所,成都611756

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2021年5期

【关键词】

：

GaN HEMT 自热效应电流崩塌微阱

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