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InSb焦平面器件经过减薄后，表面有细微的划痕，且存在一定厚度的损伤层，影响芯片性能。通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索，确定了器件抛光后，去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案，有效地改善了器件的表面质量，提高了焦平面器件的性能。
InSb焦平面器件表面末处理技术研究
【摘 要】
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InSb焦平面器件经过减薄后，表面有细微的划痕，且存在一定厚度的损伤层，影响芯片性能。通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索，确定了器件抛光后，去除表面损伤层和表面溅射
【机 构】
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中国空空导弹研究院
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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2011年2期
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