一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源

来源 :重庆邮电大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aini123321231

【摘要】

：

提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源，并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0．35μm标准CMOS工艺库，在Cadence环境下进

【作者】

：

周玮吴贵能李儒章

【机构】

：

重庆邮电大学,第二十四研究所模拟集成电路国家级重点实验室

【出处】

：

重庆邮电大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2009年1期

【关键词】

：

带隙基准电压源曲率补偿二阶补偿低温度系数 bandgap voltage reference （BGR） curvature compensation

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提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源，并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0．35μm标准CMOS工艺库，在Cadence环境下进行仿真，在-50°＋120℃温度范围内，一阶曲率补偿的温度系数为9．5ppm／℃，而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2．7ppm／％的低温度系数．

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