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以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所值得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数3.75％,串、并联品质因数分别为101.8、79.7.