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研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现：经过100 krad（Si）总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈值电压的变化量远远地大于未经辐照的器件的,其原因与总剂量辐照退火效应和辐射感生界面陷阱俘获热电子有关。
总剂量辐照与热载流子协同效应特性分析
【摘 要】
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研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现：经过100 krad（Si）总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈值电压的变化量远远地大于未经辐照的器件的
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十四研究所,工业和信息化部电子第五研究所
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2017年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（批准号：61574048、61204112）、广东省科技重大专项（20158090912002、20158090901048）资助
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