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采用射频磁控溅射法，在普通玻璃基片上成功制备了SiO2／Vox多层复合薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）、紫外可见光分光光度计（UV-Vis）和X射线光电子能谱仪（XPS）研究了薄膜的物相、热致相变特性及V的价态。结果表明，薄膜中VO2晶体具有（110）择优取向生长；SiO2底膜有助于多层复合薄膜中VO2相结晶度的提高，可使V^4＋摩尔分数由53．9％提高至66．0％；同时，SiO2增透膜的增透效果明显，增透膜沉积时间为60min时，可使SiO2/VOx/SiO2多层复合薄