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利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计，以氧化铝作为基片和绝缘封装材料。在结构上，4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布。51．72GPa压力下的动态加载实验表明，4个计的压阻一致性好，无高压旁路效应，验证了薄膜锰铜压阻计动态测试的准确性和可靠性。
阵列式薄膜锰铜计的动态压阻响应研究
【摘 要】
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利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计，以氧化铝作为基片和绝缘封装材料。在结构上，4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布。51．72GPa压力下的
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院
【出 处】
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高压物理学报
【发表日期】
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2004年3期
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