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由单电子晶体管（single—electron transistor，简称SET）构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点，可望成为继CMOS存储器之后纳米级的新型存储器。本文介绍了几种基于单电子晶体管的存储单元结构，并以单电子陷阱存储单元为例，提出了一个存储器参数优化选择的计算方法，能够改进器件的工作可靠性。利用SIMON仿真器还对这些单电子存储器进行了比较研究。