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采用密度泛函理论下的平面波赝势方法，建立GaAs及Pr -GaAs模型并对其能带结构与吸收光谱进行计算。结果表明稀土Pr的4f态电子使得GaAs的能带结构发生改变，价带电子跃迁至导带所需的激发能减小，吸收光谱发生红移，从而提高了GaAs作为光电材料时对太阳光的利用率。
Pr替位式掺杂 GaA s光电性能的第一性原理研究
【摘 要】
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采用密度泛函理论下的平面波赝势方法，建立GaAs及Pr -GaAs模型并对其能带结构与吸收光谱进行计算。结果表明稀土Pr的4f态电子使得GaAs的能带结构发生改变，价带电子跃迁至导带所
【机 构】
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牡丹江师范学院
【出 处】
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牡丹江教育学院学报
【发表日期】
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2014年4期
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