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研究了AlGaAs层掺1％的In对A1GaAs／GaAs量子阱光致发光谱的半峰宽的影响．25K的光致发光结果表明，In作为表面活化剂能有效改善AlGaAs／GaAs异质界面的粗糙度．将此方法应用到反型AlGaAs／GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中，Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能。