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在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
蓝紫光InGaN多量子阱激光器
【摘 要】
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在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家
【出 处】
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中国科学(E辑:技术科学)
【发表日期】
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2007年03期
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