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本文采用提拉法生长Zn（3（mol）％，5（mol）％，7（mol）％）：LiTaos晶体.通过Zn：LiTaO3晶体的紫外一吸收光谱和红外光谱测试结果来推测Zn^2＋对晶体结构的影响。ZnO掺杂3（mol）％，5（mol）％时，Zn^2＋取代反位钽的位置，从而使晶体中的光电导下降，晶体的抗光损伤性能得到改善。当ZnO掺杂达到7（mol）％时，Zn^2＋将晶体中的所有反位钽取代，并开始取代正常晶格的Li位，因此，晶体的抗光折变性能比纯的钽酸锂晶体提高了两个数量级。