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去年12月的国际电子器件会议上有两个报告表明，使相变存储器成为实际产品取得了缓慢的进展。一个报告来自日立和瑞萨公司，即保持相变薄膜中热量的时间足够长，从而对相变造成影响。另一个来自IBM、Qimonda和Macronix的报告描述了可用相变存储器单元的制造，该单元小到可以使用20nm工艺节点，其转换速度远远快于今天的闪存单元。