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为了探究ZnO／Si内部化学成分及有关信息，用氧离子束辅助（O^＋-assisted）脉冲激光淀积（PLD）法在不同实验条件下生长成ZnO／Si（111）样品。利用X射线光电子能谱（XPS）对长成的ZnO／Si异质结构进行了异位测试。通过对Ols峰及其肩状结构进行拟合、分析，得到了原子数密度比n（O）：n（Zn），进而探究了原子数密度比与生长质量的关系。结果表明，用氧离子束辅助PLD法，可在较低的衬底温度190℃和适当O^＋束流条件下，生长出正化学比接近于1，且c轴单一取向最佳的ZnO／Si薄膜。用氧离子