面向极紫外:光刻胶的发展回顾与展望

来源 :应用化学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：damoxian

【摘要】

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半导体行业中的大规模集成电路均采用光刻技术进行加工,光刻的线宽极限和精度直接决定了集成电路的集成度、可靠性和成本。光刻技术是指利用光刻胶在紫外光或电子束下发生溶解性变化,将设计在掩膜版上的图形转移到曝光衬底上的微加工技术。随着半导体加工的光源不断进步,从g线、i线到KrF(248 nm)再到ArF(193 nm),与之匹配的光刻胶也在不断变化,以满足灵敏度、透光性以及抗刻蚀等需求。如今,极紫外(EUV)光刻已经成为公认的下一代光刻技术,然而与之对应的光刻胶还面临着不少挑战。本文简要回顾了光刻光源的发展以及

【作者】

：

崔昊王倩倩王晓琳何向明徐宏

【机构】

：

清华大学核能与新能源技术研究院,无锡华睿芯材科技有限公司

【出处】

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应用化学

【发表日期】

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2021年9期

【关键词】

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极紫外光刻光刻胶金属氧化物纳米颗粒

【基金项目】

：

国家自然科学基金(No.52073161)资助。

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