【摘 要】
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利用TCAD半导体器件仿真软件设计了一种具有非均匀掺杂衬底结构的N型插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池。全面系统地分析了非均匀掺杂衬底结构的表面浓度和扩散深度对IBC太
【基金项目】
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国家自然科学基金（11304020）资助项目.
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利用TCAD半导体器件仿真软件设计了一种具有非均匀掺杂衬底结构的N型插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池。全面系统地分析了非均匀掺杂衬底结构的表面浓度和扩散深度对IBC太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明:非均匀掺杂衬底结构在一定程度上可提高IBC太阳电池的转换效率;非均匀掺杂衬底结构当扩散深度一定时,存在最优的表面浓度,使得IBC太阳电池的转换效率最高,且非均匀掺杂衬底结构的扩散深度越浅,最优的表面浓度越高。当扩散深度为1.9μm时,最优的表面浓度为3×1016cm-3,电池效率为22.86%;当扩散深度减小到1.1μm时,最优的表面浓度大于1×1018cm-3,电池效率大于23.092%。当非均匀掺杂衬底结构的表面浓度一定时,随着扩散深度的增大,IBC太阳电池转换效率随之降低。
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