论文部分内容阅读
基于TSMC1．0μm 40V BCD工艺，利用带隙原理设计了一款用于高压芯片的基准源电路。仿真结果显示，该电路可以工作在10-25V电源电压下，输出的基准电压精度为13．3×10^-6／℃，输出电流高达20mA，且受电源电压影响很小。与传统高电源电压基准相比，该电路提高了输出电压的精度和稳定性，具有较大的电流驱动能力，完全可以作为芯片内部电源使用。