【摘 要】
：
通过控制氩氧气体体积流量比,在单晶硅片上通过磁控溅射的方法制得c轴择优取向的ZnO薄膜,其(002)衍射峰的半高宽仅为0.3°,ZnO薄膜的常温光致发光光谱仅有一个发光峰位于
【机 构】
：
华东微电子研究所微系统安徽省重点实验室
【基金项目】
：
国家重点研发计划(2020YFB2008704)
论文部分内容阅读
通过控制氩氧气体体积流量比,在单晶硅片上通过磁控溅射的方法制得c轴择优取向的ZnO薄膜,其(002)衍射峰的半高宽仅为0.3°,ZnO薄膜的常温光致发光光谱仅有一个发光峰位于3.17 eV,是ZnO受主缺陷的三阶声子伴线发光峰(FXA-3LO),该峰的出现也说明了ZnO薄膜具有较高的纯度和晶体质量,ZnO薄膜电阻率为160Ω·cm。在此基础上利用光刻剥离技术制备了传感器18对叉指Au电极结构,电极的线宽/线间距为25μm/25μm。样品的实际参数指标与设计指标一致,光电性能指标基本符合
其他文献
钾氧电池因其独特的单电子转移机理和更高的能量密度逐渐成为研究热点,但钾氧电池的研究仍处于起步阶段。本文介绍了钾氧电池的工作原理,并阐述了目前钾氧电池电解液、正极与
忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景。另一方面,二维材料由于二维层状的结构和优异的电学性能被广泛应用于
长河坝水电站尾水锥管层混凝土体型复杂,浇筑高度大,钢筋安装和混凝土浇筑空间狭小,钢筋、埋件相互影响,浇筑过程中容易引起尾水锥管钢结构变形等特点,对施工组织及施工技术
岩溶系统由于溶蚀裂隙发育、溶洞多、渗透性大等特性,造成了帷幕灌浆灌入浆量大和施工难度较大的特点。结合马岭水利枢纽工程地下厂房岩溶系统帷幕灌浆施工技术,有针对性地分