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我们运用Kronig-Penney模型，研究了GaAs／AlxGa1-xAs超晶格的束缚态电子能级结构、带宽，跃迁矩随超晶格的结构参量（阱宽、垒宽和Al组分）变化关系，以及子带能量色散关系．计算结果表明：影响光跃迁频率的最大因素是阱宽，随着阱宽的增加，光跃迁频率逐渐减小；影响带宽的较大因素是垒宽，随垒宽的增大，带宽逐渐减小；超晶格结构参量对跃迁矩的影响很小；随着Al组分的增加，光跃迁频率逐渐增大；第一子能带随波矢的变化不是很明显，第二子能带随波矢变化比较明显．这些将对实验测量和器件应用有一定的参考价值和指