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通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGe PMOSFET垂直结构参数的变化关系.模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比Si PMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注.