总剂量效应对CMOS图像传感器中光电二极管钳位电压的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yoyoliuy

【摘要】

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钳位电压(Vpin)是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量。在辐照条件下,V_(pin)受辐射总剂量(TID)增加而升高,因此研究其机理对抗辐照CIS的设计有重要意义。文章利用TCAD仿真软件分析了CIS器件的电学特性,研究了V_(pin)受TID影响的机理。结果表明,当辐照引起的氧化物陷阱电荷浓度达到3×10~(16) cm~(-3)时

【作者】

：

宋辰昱申人升曲杨刘岩常玉春

【机构】

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大连理工大学微电子学院

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2021年03期

【关键词】

：

钳位电压总剂量效应 CMOS图像传感器 TCAD

【基金项目】

：

国家自然科学基金项目(11975066),工业和信息化部电子第五研究所项目基金项目(JSZL3017610B001)。

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