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介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通．高电子迁移率晶体管（RC-HFET）。通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接，RC—HFET获得了一个逆向导电通路，从而相当于一个功率开关与二极管反并联结构。RC—HFET正向工作的原理与传统HFET相似，导通电阻与传统HFET相近。在器件制造上，RC-HFET与传统HFET完全兼容，无需额外的光刻版及加工流程。因此，在电机驱动等需要反向续流的功率系统中，RC-HFET消除了对续流二极管的需求，提供了一种更具成本优势的方案。