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用两种方法测量了Si2N2O的标准生成吉布斯自由能△fGSi2N2O^θ。：其一是在0．1MPa氮气压力条件下，在1073～1869K范围内，利用Y2O3，稳定ZrO2固体电解质，以Cr和Cr2O3，为参比电极，用极化法测试；其二是在1673和1773K下通过Ni—NiO平衡控制氧分压法测试。结果表明，两者吻合很好，其表达式可写为：△fGSi2N2O^θ=-960．627＋0．292T±6．2（kJ·mol^-1）．其中1073K≤T≤1869K。