【摘 要】
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利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si：H/i-a-Si：H/n-a-Si：H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太
【基金项目】
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教育部留学回国人员科研启动基金（教外司留[2008]890）
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利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si：H/i-a-Si：H/n-a-Si：H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅（a-Si：H）PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si：H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。
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