【摘 要】
：
为降低抗辐射设计对元器件基本性能的影响,基于0.18μm CMOS加固工艺,通过场区注入工艺实现总剂量(Total Ionizing Dose,TID)加固,优化版图设计规则实现单粒子闩锁(Single Event Latch-up,SEL)加固,灵活设计不同翻转指标要求实现单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)加固.利用以上加固方法设计的电路,证明了加固工艺平台下的抗辐射电路在抗辐射性能及面积上具有明显优势.
【机 构】
：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072
论文部分内容阅读
为降低抗辐射设计对元器件基本性能的影响,基于0.18μm CMOS加固工艺,通过场区注入工艺实现总剂量(Total Ionizing Dose,TID)加固,优化版图设计规则实现单粒子闩锁(Single Event Latch-up,SEL)加固,灵活设计不同翻转指标要求实现单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)加固.利用以上加固方法设计的电路,证明了加固工艺平台下的抗辐射电路在抗辐射性能及面积上具有明显优势.
其他文献
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)新品导入中,过强的铜线焊接会使焊球下芯片层间电介质层(Interlayer Dielectric,ILD)产生裂纹,从而导致器件测试漏电流失效或可靠性失效.通过对芯片结构的分析,指出LDO漏电流失效的原因,同时详细讨论了如何确定合理的铜线焊接参数、如何检测失效以及失效分析步骤.
设计一种基于功率合成方式的功率放大器,工作于400～800 MHz频段范围.模块内部采用4个功放管合成的方式,可实现宽频带800 W的功率输出;内部通过多级放大的方式,可获得较高的增益和较小的带内波动.针对P频段特点,选择大功率LDMOS器件,采用基于平面微带电容混合电路的匹配电路、功率分配和合成方式,最终效率达到45％以上.
QFN器件具有良好的电气性能,但器件回流焊接过程中极易产生底部热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠、桥连等缺陷,当一个印制板焊接多个QFN器件时,缺陷发生率颇高.在高可靠性要求的航天产品焊接过程中,器件返修次数有限制,且返修会造成器件性能下降、组件可靠性降低等问题,因此亟需对QFN器件一次装配良率和焊接效果进行提升优化.为此,从原理上分析QFN器件热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠缺陷产生机理,并从产品焊盘工艺性设计、钢网模板设计、焊接温度曲线设计等方面开展分析与优化.优化后,QFN器件一次装配良率提高,没有产
为解决小点间距发光二极管(Light Emitting Diode,LED)显示屏中存在的刷新率较低和低灰显示均匀性差等问题,基于优化打散脉冲调制(Optimize-Scrambled Pulse with Modulation,OS-PWM)算法,采用时钟倍频技术,提出一种倍频OS-PWM算法.基于倍频OS-PWM算法,在不改变总灰度的前提下提高了刷新率,算法复杂度减少一半;对算法进行等级优化,提升了显示均匀性,并在实际样片中得到了验证.
基于深度学习的目标检测算法相较于传统的目标检测算法,对复杂场景的稳健性更强,是当前研究的热点方向.根据基于深度学习的目标检测算法的流程特点将其分为两阶段目标检测算法和单阶段目标检测算法,着重介绍了部分经典算法所解决的问题及其优缺点,梳理了其在工业界的应用情况,对其存在的问题进行了讨论,对未来可能的发展趋势进行了展望.