V掺杂对Bi3.25La0．75Ti3O12层状结构铁电陶瓷电性能的影响

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hao1238888

【摘要】

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用高温固相烧结法制备了V^5＋掺杂的Bi3.25La0．75Ti3O12（BLT）层状结构铁电陶瓷。利用XRD对Bi3.25La0.75Ti3-xVxO12＋x／2（BLTV-x）材料结构进行了晶相分析，结果表明所制备的陶瓷均具有单一

【作者】

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王晓军黄平崔彩娥

【机构】

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太原理工大学

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

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2009年A02期

【关键词】

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介电损耗激活能电导率 Bi3.25La0.75Ti3-xVxO12+x/2 dielectric loss activation energy electr

【基金项目】

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山西省自然科学基金资助（2007011061）,山西省科技攻关项目资助（2007031141）

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用高温固相烧结法制备了V^5＋掺杂的Bi3.25La0．75Ti3O12（BLT）层状结构铁电陶瓷。利用XRD对Bi3.25La0.75Ti3-xVxO12＋x／2（BLTV-x）材料结构进行了晶相分析，结果表明所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构。样品的介电常数温度谱显示：V^5＋掺杂提高了材料的介电常数，x=0．03时介电常数最大，但样品的居里温度并没有发生大的变化。样品的介电损耗谱表明：由于V^5＋掺入，由氧空位引起的样品介电损耗被极大的压制，在x=0．06时损耗最小。通过对材料的直流电导与温度关系的

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