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在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.
集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨
【摘 要】
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在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.
【机 构】
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上海海运学院静电与电磁兼容研究室(上海)
【出 处】
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中国物理学会第十一届静电、电磁防护与电磁兼容学术年会
【发表日期】
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2003年8期
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