【摘 要】
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利用自行编制的半导体器件模拟程序 m PND1 D(采用时域有限差分方法 ,求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组 ) ,对 PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的
【机 构】
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西安电子科技大学,常德师范学院,中国工程物理研究院,西安电子科技大学
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利用自行编制的半导体器件模拟程序 m PND1 D(采用时域有限差分方法 ,求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组 ) ,对 PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算 ,比较了不同条件下的计算结果 ,并对二极管微波响应截止频率作了探讨。计算结果表明 :随着激励源幅值的升高 ,器件截止频率增大 ;随着脉冲长度减小 ,器件截止频率降低 ;随着器件恒定温度值升高 ,截止频率下降
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