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针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计，对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能，利用电路模拟软件Pspice进行了模拟。模拟结果显示，采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能。
CMOS反相器辐射加固电路设计
【摘 要】
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针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计，对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能，利用电路模拟软件Pspice进行了模拟。模拟结果显示，采用该电路结构的反相器有很
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学微电子学院
【出 处】
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电子科技
【发表日期】
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2009年4期
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