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采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)辅助水热法合成了Ag/C同轴纳米电缆,并用SEM、TEM、XRD和EDS对产物进行了表征。结果表明,产物为长达数十微米,内核直径80￣100nm,壳厚约100nm的纳米电缆。初步探讨了Ag/C同轴纳米电缆的生长机制。
Ag/C同轴纳米电缆的制备
【摘 要】
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采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)辅助水热法合成了Ag/C同轴纳米电缆,并用SEM、TEM、XRD和EDS对产物进行了表征。结果表明,产物为长达数十微米,内核直径80￣100nm,壳厚约100nm的
【机 构】
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福建师范大学化学系,浙江工业大学分析测试中心
【出 处】
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无机化学学报
【发表日期】
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2008年02期
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