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采用室温合成法制备出CsPbBr3钙钛矿量子点,并采用乙酸乙酯对量子点进行了一次、二次和三次清洗,以控制其表面配体密度.然后,利用合成并经过清洗的钙钛矿量子点制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PTAA/CsPbBr3 QD/TPBi/LiF/Al 的电致发光二极管(QLED).研究了经不同清洗次数的量子点材料制备的器件的光电性能.结果表明,清洗2次的量子点在电荷注入与溶液稳定性之间得到平衡,利用其制备的钙钛矿QLED获得了最大亮度为1 405 cd/m2、外量子效率为0.6％、色坐标为(0.127,0.559)的绿光发射.