PZT铁电场效应晶体管电学性能

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangaimin143074

【摘要】

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采用磁控溅射法制备了（111）向择优的Pb（Zr0.52Tio48）O3（PZT）铁电薄膜，并结合半导体集成技术制备了金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的n沟道铁电场效应晶体管．研究了铁电场效

【作者】

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蔡道林李平翟亚红张树人

【机构】

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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2007年11期

【关键词】

：

磁控溅射 MFMIS 铁电场效应晶体管存储窗口 RF magnetron sputtering MFMIS FFETs memory window

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采用磁控溅射法制备了（111）向择优的Pb（Zr0.52Tio48）O3（PZT）铁电薄膜，并结合半导体集成技术制备了金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的n沟道铁电场效应晶体管．研究了铁电场效应晶体管的Gy特性、厶y特性以及写入速度．顺时针的Gy滞回曲线和逆时针的，Id-Vg滞回曲线表明，n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应，并且在-5V到＋5V的％电压下从C-Y和，Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口．

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