AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pkuericz

【摘要】

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在测得Al0.26Ga0.74As∶Sn混晶中两类类DX中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能.采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Sn

【作者】

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肖细凤康俊勇

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

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2002年z1期

【关键词】

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AlGaAs∶Sn 第一原理赝势法类DX中心. AlGaAs:Sn ab initio calculations DX-like centers

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在测得Al0.26Ga0.74As∶Sn混晶中两类类DX中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能.采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Sn施主杂质次近邻Al/Ga原子的不同局域组分所引起的Sn杂质及其最近邻As原子的不同晶格驰豫,是产生两类类DX中心能级精细结构的主要原因.

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