电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tofomy

【摘要】

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采用10keVX射线研究了部分耗尽S01MOSFETs的总剂量辐射效应．实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink

【作者】

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刘洁周继承罗宏伟孔学东恩云飞师谦何玉娟林丽

【机构】

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中南大学物理科学与技术学院,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,中南大学材料科学与技术学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

X射线 SOI MOSFETS 部分耗尽 KINK效应总剂量效应 X-ray SO1 MOSFETs partially depleted kink e

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采用10keVX射线研究了部分耗尽S01MOSFETs的总剂量辐射效应．实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应．分析表明电离辐射在埋氧／顶层硅（Box／soI）界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因．基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论．

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