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提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法，在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中，据此生产的样品的实验结果表明，对于500V／2A的VDMOSFET，反向恢复电荷减小了50％，体二极管的恢复因数增大了60％．
高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法
【摘 要】
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提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法，在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中，据此生产的样品的实验结果表明，对于5
【机 构】
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辽宁大学物理系,辽宁大学法学院,辽宁大学信息学院
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2006年1期
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