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分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用，阐述了铜布线的结构，即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下，抛光规律符合经典普莱斯顿方程：在粗抛磨料采用氧化铝，精抛配比采用武亚红提出的方案情况下，采用旋转式低速较大下压力情况下抛光，整个晶片依然存在较大的不均匀性。分析100um线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大。整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比，但在同种分布情况下，精抛时间越长，则侵蚀缺陷越大。最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题。但失效机制分析意义依然很重大。