【摘 要】
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系统分析了势垒高度测量的两种常用方法(I-T特性方法和C-V特性方法)成立的条件.发现直接采用lnj-1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发
【机 构】
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西安工程大学理学院,西安高压电器研究院有限责任公司
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系统分析了势垒高度测量的两种常用方法(I-T特性方法和C-V特性方法)成立的条件.发现直接采用lnj-1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发射电流的情况,且只能得到等效势垒高度,其最大误差为12%~20%.要使测量误差在10%以内,则外施电压的荷电率不应超过0.4~0.6.改进后的I-T特性方法可测量零偏置电压下的势垒高度φ0;C-V特性方法仅适用于偏析层厚度可忽略的情况,否则测量值明显偏大;实际上将两种方法相结合,不但能得到较精确的势垒高度φ0,还能获得偏析层的厚度.
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