【摘 要】
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理论仿真和实验制备了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小发散角量子阱激光器.为了扩展近场光场并减小内损耗,将一个非对称模式扩展层插入到外延结构的下盖层当中.仿真结果表明,该模
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;
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理论仿真和实验制备了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小发散角量子阱激光器.为了扩展近场光场并减小内损耗,将一个非对称模式扩展层插入到外延结构的下盖层当中.仿真结果表明,该模式扩展层除了少量增加激光器阈值电流以外,在不影响激光器其它性能的情况下能显著减小激光器的垂直远场发散角.实验结果与理论仿真高度吻合.成功制备出脊宽4 μm,腔长1000μ,m的脊波导小发散角激光器.在端面未镀膜的情况下,该激光器阈值电流为56 mA,输出功率为17.38 mw@120 mA,斜率效率可以达到0.272 W/A.实验测得垂直远场发散角为29.6°,相比较传统激光器减小了约35.3％.
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