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采用Mo／钠钙玻璃衬底作为阴极，饱和甘汞电极（SCE）为参比电极，大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系，以氯化铜，三氯化铟，三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液，利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu（In，Ga）Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度对CIGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能。实验结果表明当热处理温度为450℃时，所制备的Cu（In，Ga）Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比，薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀，致密性较好，在室温下禁带宽度为1．43 eV，具有高的吸收系