一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong498

【摘要】

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提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有

【作者】

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周梅左淑华赵德刚

【机构】

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中国农业大学理学院应用物理系,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

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GaN 肖特基结构紫外探测器 AlGaN

【基金项目】

：

中国农业大学校科研和教改项目;

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提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,提高了器件的量子效率.进一步地研究结果还表明:采取较薄、载流子浓度较高的AlGaN层更有利于提高这种新结构器件的量子效率.

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