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设计并实现一种耦合式C型（coupled）高压电平位移结构，避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线（HVI）跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区，以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离，且减小了芯片面积．借助Pwell，Nepi，P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻；引入金属场板MFP，防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接．利用作者开发的高压SPSMCD工艺，成功研制出基于C型电平位移结构的1000V三相功率MOS栅驱动集成电路．结果表明，C型电平位移结构的最高耐压为