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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)法携带N2或NH3制备掺氮的类金刚石(DLC：N)薄膜，对不同掺杂方法得到DLC：N薄膜进行电化学C—V测量．I-V和C—V曲线表明，不论是采用N2或是NH3进行掺杂都得到n型的DLC薄膜，掺NH3的样品载流子浓度能达到更高．根据样品的电化学C—V测量结果并结合X射线光电子能谱，详细研究了DLC：N薄膜载流子浓度的纵向分布，发现在靠近薄膜与衬底界面处附近即生长初期N的掺杂浓度分布较高．